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倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器

更新時間：2023-08-18

簡要描述：

倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器特點
室溫下工作；無需偏置；響應時間短；無閃動噪聲；從DC到高頻范圍工作；與快速邏輯元器件*兼容；動態(tài)范圍寬；大面積裝置；低成本；可根據客戶要求設計。

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產品介紹：

倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器

PVMI-n（n表示特性波長，單位是微米）系列的光電探測器是多重異質結紅外光電探測器，使用高折射率的GaAs（或CdZnTe ）過半球透鏡（標準）或者半球透鏡（可選）進行光浸入。這些裝置工作在8～12微米的范圍內，特別用于大范圍探測。他們的高性能和穩(wěn)定性可以通過近開發(fā)的變隙半導體HgCdZnTe優(yōu)化摻雜面和改進的表面處理來獲得。可以按客戶定制器件的要求提供四象限單元、多元件陣列、各種浸潤鏡頭、視窗和光濾波器。標準可以供貨的探測器（不帶視窗）封裝是改進的TO-39或BNC-based封裝。其它的封裝、視窗和連接器可以根據需求提供。

倍增結構、光侵入式室溫型HgCdTe探測器參數：

特性（@ 20ºC）	單位	LD-PVMI-8	LD-PVMI-10.6
特性波長λop	μm	8	10.6
探測率: at λpeak at λop	cmHz^1/2/W	≥6 x 10⁸ ≥3 x 10⁸	≥2 x 10⁸ ≥1 x 10⁸
響應度–at λop	*Amm/W**	≥0.04	≥0.01
響應時間τ	ns	≤4	≤1.5
電阻	Ω	50-300	20-150
光學面積（長 × 寬）	mm× mm	0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2;
工作溫度	K	300
視場, F#	deg	36, 1.62

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